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[发明专利]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202010325086.0在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[实用新型]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202020623495.4有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[发明专利]层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件-CN201410415587.2有效
发明人：王昆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件。该层间介质层包括：介质基体层，介质基体层为含硅氧化物；离子注入区，设置于介质基体层中，离子注入区中注入离子的离子极化率小于硅离子的离子极化率。本申请通过在介质基体层中设置离子注入区以形成层间介质层，且离子注入区中注入离子的离子极化率小于介质基体层中硅离子的离子极化率，同时层间介质层的介电常数与离子极化率成正比的特性，使得层间介质层的介电常数得以减小，进而提高了层间介质层的绝缘性能。
介质制作方法半导体器件

[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201910056543.8有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
一种应用于开关存储器光学双稳态器件

[实用新型]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201920111376.8有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
电介质层石墨烯层光学双稳态器件本实用新型光存储器全光开关全光通信系统光学双稳态多层结构上表面下表面应用

[发明专利]一种基于分级倾斜微圆柱结构的电容式柔性触觉传感器-CN202111211504.4在审
发明人：郭小辉;洪炜强;吴俊杰;王伊凡;宣文瀚;毛善安;段章领;杨利霞;许耀华;屈磊 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种基于分级倾斜微圆柱结构的电容式柔性触觉传感器，包括上电极层、下电极层和介质层；介质层由上介质层和下介质层组成，上介质层、下介质层上下对称分布；上、下介质层和包括上、下介质层基底、上、下介质层长微圆柱和上、下介质层短微圆柱，上、下介质层基底与上、下电极层下侧/上侧紧密粘合，上、下介质层长微圆柱和上、下介质层短微圆柱交错、等距分布于上、下介质层基底的底部/顶部；上介质层长微圆柱和下介质层长微圆柱之间紧密粘合，上介质层短微圆柱和下介质层短微圆柱之间存在距离。本发明结构稳固，克服粘滞效应，介质层更易产生弯曲变形，拥有更高的灵敏度、更短的响应/恢复时间、更低的滞后性、更好的稳定性。
一种基于分级倾斜圆柱结构电容柔性触觉传感器

[发明专利]形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层-CN202310100295.9在审
发明人：张琪;祁玉发;许捷;吴贤勇;刘峰松;高玉岐 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层。所述方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成一硼磷硅玻璃层；对所述硼磷硅玻璃层进行疏水处理；在所述硼磷硅玻璃层表面形成第二介质层，从而形成包括所述第一介质层、硼磷硅玻璃层、以及第二介质层的绝缘介质层。本申请在形成硼磷硅玻璃层后进行了疏水处理，解决形成第二介质层后析出硼、磷产生鼓泡的问题，改善后续钨栓形貌异常的缺陷。
形成绝缘介质方法以及

[发明专利]复合介质层的刻蚀方法以及复合介质层-CN201810507777.5有效
发明人：刘珂;陈国动;朱海云 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合介质层的刻蚀方法、复合介质层和半导体处理设备。base:Sub>Fy，x和y均为大于等于1的正整数，且x+y＝4；将所述刻蚀气体电离以形成刻蚀等离子体；利用所述刻蚀等离子体，在预设的刻蚀参数下，对所述复合介质层进行一次刻蚀工艺，以选择性地完全或者部分刻蚀各所述介质子层，以获得预定的刻蚀图形。可以通过调控氟化的碳氢化合物气体、抑制类气体所占的流量或者比例，可以仅执行一次刻蚀工艺对复合介质层进行完全刻蚀或者精准减薄。
复合介质刻蚀方法以及

[发明专利]金属前介质层及其制造方法-CN201010573303.4有效
发明人：李敏;徐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种金属前介质层，包括介质层、位于介质层上的保护层，还包括位于介质层和保护层之间的过渡层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。一种金属前介质层的制造方法，提供衬底；在衬底上形成介质层；在介质层上形成过渡层；在过渡层上形成保护层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。所述过渡层的性质与介质层的性质接近，使层间附着力较大，从而提高了金属前介质层的质量。
金属介质及其制造方法

[实用新型]基于多层介质层集成的微波传输线-CN201920751219.3有效
发明人：王孝卫;姚德安;陈菲;吴宏伟 -专利权人：东莞市兴际通通信技术有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于多层介质层集成的微波传输线，其包括上下分隔预设距离的上介质层和下介质层，该微波传输线还包括位于上介质层和下介质层之间且左右分隔预设距离的两介质层组，介质层组包括多个由上至下依次层叠且通过导电粘合剂粘合为一体的介质层，上介质层和下介质层分别与各自相邻的介质层通过导电粘合剂粘合为一体，以在上介质层、下介质层以及两介质层组之间围合出一空气腔体；上介质层和下介质层朝向介质层组的一面均覆铜，介质层组中各介质层的粘合面均覆铜，且介质层相对两侧的覆铜层电连接。这种产品构造具有生产工艺简单的特点，并且通过改变介质层在空气腔体内的结构形式，可以转换得到不同类型的传输线，适用于传输高频微波。
介质层上介质层下介质层导电粘合剂微波传输线预设距离粘合覆铜分隔传输线本实用新型多层介质层产品构造高频微波空气腔体相对两侧依次层叠电连接覆铜层空气腔粘合面围合生产工艺体内传输转换

[发明专利]互连结构及形成方法-CN201610407462.4有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构及形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有前层待连接件；形成第一介质层和替代介质层，替代介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数；形成位于替代介质层上的介质叠层；形成开口；形成互连结构。本发明通过形成依次覆盖前层待连接件的第一介质层和替代介质层；之后在替代介质层上形成介质叠层；再在介质叠层、替代介质层以及第一介质层内形成互连结构。由于替代介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数，与现有技术相比，相同介质层厚下，利用替代介质层代替部分厚度的第一介质层能减小介电常数，进而能够减小互连结构的寄生电容，提高所形成半导体器件的性能。
互连结构形成方法

[发明专利]一种基于宇称-时间对称的全光开关-CN202110603813.X在审
发明人：刘芳华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括石墨烯单层，石墨烯单层的两侧分别具有非周期光子晶体一和非周期光子晶体二，非周期光子晶体一由石墨烯单层至入射侧依次设置有第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层，非周期光子晶体二由石墨烯单层至出射侧依次设置有第四电介质层、第三电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第四电介质层、第三电介质层，第一电介质层和第三电介质层折射率共轭相等，第二电介质层和第四电介质层折射率共轭相等。
一种基于时间对称开关

[实用新型]一种基于宇称-时间对称的全光开关-CN202121200007.X有效
发明人：刘芳华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括石墨烯单层，石墨烯单层的两侧分别具有非周期光子晶体一和非周期光子晶体二，非周期光子晶体一由石墨烯单层至入射侧依次设置有第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层，非周期光子晶体二由石墨烯单层至出射侧依次设置有第四电介质层、第三电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第四电介质层、第三电介质层，第一电介质层和第三电介质层折射率共轭相等，第二电介质层和第四电介质层折射率共轭相等。
一种基于时间对称开关

[发明专利]基于超材料结构的石墨烯光探测器-CN201610387460.3有效
发明人：朱锦锋;李嘉晔;刘海;柳清伙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：为叠层结构，从上至下在垂直方向上依次为金属层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层结构；在水平方向上，石墨烯层和介质层均采用栅状条块，条块周期排列，在每层石墨烯层上加偏置电压，用于改变石墨烯的折射率，从而动态调控每石墨烯层的空间反射率
基于材料结构石墨探测器

[实用新型]一种石墨烯光探测器-CN201620532181.7有效
发明人：朱锦锋;李嘉晔;刘海;柳清伙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：为叠层结构，从上至下在垂直方向上依次为金属层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层结构；在水平方向上，石墨烯层和介质层均采用栅状条块，条块周期排列，在每层石墨烯层上加偏置电压，用于改变石墨烯的折射率，从而动态调控每石墨烯层的空间反射率
一种石墨探测器

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